Adresse : NO.20, KUANG FU RD., HSIN CHU INDUSTRIAL PARK, HU KOU, HSIN CHU 303, TAIWAN, R.O.C.
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. Gamme Performance - 250MHz (DDR500, CL3). Double-data-architecture taux; deux transfer de données par cy e d`horloge. Bi-directionnel de st be (DQS). Entrées d`horloge différentielles (CK et CK #). Ali e DLL DQ et la transition à la transition DQS CK. Auto & capacité de ra aîchir l`auto (8192 Cy es / 64ms). Simple 2.6V Ó0.1V d`alimentation électrique. P grammable Read latence 3 (horloge). P grammable longueur de rafale (2, 4, 8). P grammable de type Rafale (Sequential & Interleave). Edge ali és données de sortie, centre ali és données d`entrée. Détecter la présence de série avec une EEPROM. PCB: Hauteur (1.000 mil), dobule face composante
. Gamme Performance - 275MHz. Double-data-architecture taux; deux transfer de données par cy e d`horloge. Bi-directionnel de st be (DQS). Entrées d`horloge différentielles (CK et CK #). Ali e DLL
P Performance gamme - 217MHz P double-data-architecture taux, deux transfer de données par cy e d`horloge P bi-directionnelle des données st boscopique (DQS) P entrées d`horloge différentiell
Gamme Performance - 200MHz/233MHz. Double-data-architecture taux; deux transfer de données par cy e d`horloge. Bi-directionnel de st be (DQS). Entrées d`horloge différentielles (CK et CK #). Ali e
240-pin 533MHz DDR latences CAS: 3, 4, 5 Voltage: 1,8 V, réduisant la consommation électrique d`envi n 50% de grandes capacités de dissipation thermique fonctionnalité de mémoire et une efficacit
l 200-pin 533MHz DDR l latences CAS: 3, 4, 5 l Voltage: 1,8 V, réduisant la consommation électrique d`envi n 50% l Forte chaleur aux capacités de dissipation de l fonctionnalité mémoire exce ionn
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