Adresse : NO.20, KUANG FU RD., HSIN CHU INDUSTRIAL PARK, HU KOU, HSIN CHU 303, TAIWAN, R.O.C.
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240-pin 533MHz DDR latences CAS: 3, 4, 5 Voltage: 1,8 V, réduisant la consommation électrique d`envi n 50% de grandes capacités de dissipation thermique fonctionnalité de mémoire et une efficacité exce ionnelles capacité de mémoire disponible: 256MB / 512MB / 1GB garantie à vie Global
l 200-pin 533MHz DDR l latences CAS: 3, 4, 5 l Voltage: 1,8 V, réduisant la consommation électrique d`envi n 50% l Forte chaleur aux capacités de dissipation de l fonctionnalité mémoire exce ionn
. Gamme Performance - 250MHz (DDR500, CL3). Double-data-architecture taux; deux transfer de données par cy e d`horloge. Bi-directionnel de st be (DQS). Entrées d`horloge différentielles (CK et CK
. Gamme Performance - 275MHz. Double-data-architecture taux; deux transfer de données par cy e d`horloge. Bi-directionnel de st be (DQS). Entrées d`horloge différentielles (CK et CK #). Ali e DLL
P Performance gamme - 217MHz P double-data-architecture taux, deux transfer de données par cy e d`horloge P bi-directionnelle des données st boscopique (DQS) P entrées d`horloge différentiell
Gamme Performance - 200MHz/233MHz. Double-data-architecture taux; deux transfer de données par cy e d`horloge. Bi-directionnel de st be (DQS). Entrées d`horloge différentielles (CK et CK #). Ali e
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