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l 200-pin 533MHz DDR l latences CAS: 3, 4, 5 l Voltage: 1,8 V, réduisant la consommation électrique d`envi n 50% l Forte chaleur aux capacités de dissipation de l fonctionnalité mémoire exce ionnelle et l`efficacité de la mémoire l Capacité disponible: 256MB / 512MB / 1GB l durée de vie de garantie globale
. Gamme Performance - 250MHz (DDR500, CL3). Double-data-architecture taux; deux transfer de données par cy e d`horloge. Bi-directionnel de st be (DQS). Entrées d`horloge différentielles (CK et CK
. Gamme Performance - 275MHz. Double-data-architecture taux; deux transfer de données par cy e d`horloge. Bi-directionnel de st be (DQS). Entrées d`horloge différentielles (CK et CK #). Ali e DLL
P Performance gamme - 217MHz P double-data-architecture taux, deux transfer de données par cy e d`horloge P bi-directionnelle des données st boscopique (DQS) P entrées d`horloge différentiell
Gamme Performance - 200MHz/233MHz. Double-data-architecture taux; deux transfer de données par cy e d`horloge. Bi-directionnel de st be (DQS). Entrées d`horloge différentielles (CK et CK #). Ali e
240-pin 533MHz DDR latences CAS: 3, 4, 5 Voltage: 1,8 V, réduisant la consommation électrique d`envi n 50% de grandes capacités de dissipation thermique fonctionnalité de mémoire et une efficacit
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