Material: 5``Wie Silizium-Wafer () 4 um, 1,2 um-Technologie () Epi-Schicht N-() Bvdss: 30V ~ 900V () RDS (on) (HV): sp

4 & 5````Silicon Epitaxial-Wafer mit Buried Layer, für Einzel-und Doppel-begraben-Schicht () Bei N/N/P-, N/PP-, N / N & P / P -, .. etc. () () () () () () ()

3``, 4``, 5``und 6``Silikon-Epitaxial-Wafer ohne Buried Layer () Single-Layer: N / N +, P / P +, P / N +, N / P +, N / N + + () Multi-Layer: N / P / P +, P / P / P +, P / N / N +, N / N / N +, N / N