Matériel: 5``Comme plaquette de silicium () 4 um, 1,2 um technologie () couche Epi N-() Bvdss: 30V ~ 900V () RDS () (HV) sur: SP

4``et 5``epitaxial silicon wafer avec couche enterrée, pour Single & double couche enterrée () Pour N/N/P-, N/PP-, N / N & P/P-, .. etc () () () () () () ()

3``, 4``, 5``et 6``epitaxial silicon wafers calque sans Buried () Simple couche: N / N + / P +, P / N +, N / P +, N / N + + () Multi-couches : N / P / P + / P P / P + / P N / N +, N / N / N +, N / N