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Epitaxial silicon wafers sans Buried Layer
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3``, 4``, 5``et 6``epitaxial silicon wafers calque sans Buried () Simple couche: N / N + / P +, P / N +, N / P +, N / N + + () Multi-couches : N / P / P + / P P / P + / P N / N +, N / N / N +, N / N
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Bipolar IC Fonderie
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Matériel: 5``wafer de silicium () 5 um, 1.5um technologie DM () Simple / Double-Layer Buried () l`isolement Junction () NPN, LPNP, VPNP, diode Zener () Planarization: résister etch back () BVceo:
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Power Mosfet Fonderie
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Matériel: 5``Comme plaquette de silicium () 4 um, 1,2 um technologie () couche Epi N-() Bvdss: 30V ~ 900V () RDS () (HV) sur: SP
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