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Description du produit
Ordinateurs, Software & Peripherals /  Appareils de Stockage /  Autres Appareil de Stockage / 
Information sur le fabricant
Société :
AGL Computer Parts Sales Department
 
Adresse :
4B083, Building 3, Huaqiang Electronic World, Futian, Shenzhen, Guangdong, China (Mainland)
 
Téléphone :
+86-755-82869065/82869067

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Cahier des charges: DDR2 533 MHz, DDR2 667MHZ type de socket 240-b ches à double li e dans le module de mémoire (DIMM) sans plomb 1.8V alimentation Débit: 533Mbps, 667Mbps 1.8V (SSTL_18 compatible) I / O double-data-architecture taux: Deux transfer des données du cy e per ock bi-directionnelle, le différentiel de données flash (DQS et / DQS) la transmission / réce ion de données, à utiliser dans la ca ure des données au niveau du réce eur DQS est bord ali ées avec les données pour LIT: Centerali ed avec des données pour les écritures entrées d`horloge différentielles (CK et / CK) ali e DLL Commandes DQ et transitions DQS avec des transitions CK inscrit sur chaque arête positive CK: Les données et les données référencées à la fois à masquer les bords de DQS Quatre banques internes pour un fonctionnement simultané (Composante) masque de données (DM) pour écrire des données longueurs de rafale: 4,8 CAS Latency (CL): 3,4,5 Auto opération de précharge pour chaque accès é atement ra aîchissement automatique et les modes de ra aîchissement auto 7.8us moyenne intervalle d`actualisation périodique Posté par la latence CAS additif p grammables pour une meilleure efficacité de commandement et de bus de données Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-Résiliation pour une meilleure qualité de si al DQS peut être désactivée pour un culot unique à l`exploitation des données St be
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