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Description du produit
Ordinateurs, Software & Peripherals /  Appareils de Stockage /  Autres Appareil de Stockage / 
Information sur le fabricant
Société :
Champ Tough Technology (China) Limited
 
Adresse :
Unit 819-820, West Wing, Qiushi Center, Zhu Zi Lin, Futian District, Shenzhen City, Guangdong Province. China
 
Téléphone :
+86-755-88318981

DDR/DDR2/SDR RAM Module

Caractéristiques: 1) sans plomb 2) 1.8V alimentation 3) Taux de données: 667Mbps 4) 1.8V (SSTL-18 compatible) I / O 5) double-data-architecture taux: deux transfer de données ` par cy e d`horloge 6) bi-directionnel, le différentiel de données flash (DQS et / DQS) est transmis / reçues avec des données, à utiliser dans la ca ure des données au niveau du réce eur 7) DQS est bord ali ées avec les données pour les lectures, centre ali és disposant de données pour l`écrit 8) entrées d`horloge différentielles (CK et / CK) 9) DLL ali e DQ et transitions DQS avec des transitions CK 10) les commandes entrées sur chaque arête CK positif: données et masque référencée à la fois aux bords de DQS 11) Quatre banques internes pour fonctionnement en parallèle (composant) 12) Les données du masque (DM) pour écrire des données 13) Burst longueurs: 4, 8 14) CAS Latency (CL): 3, 4, 5 15) Auto précharge opération pour chaque accès é atement 16) re esh modes Auto et ra aîchissement auto 17) 7.8us moyenne intervalle d`actualisation périodique 18) Posté par la latence CAS additif p grammables pour un meilleur commandement et données sur l`efficacité de bus 19) Off-chip-impédance de conducteur l`ajustement et On-Die Termination pour une meilleure qualité de si al 20) DQS peut être désactivé pour les données single-ended fonctionnement flash Emballage: emballages os au détail, de l`emballage en vrac
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