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Memory Stick
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Spécifications: 1) de l`interface: série / paral �le 2) Dimensions (L x H x P): 31 x 20 x 1.6mm 3) Poids: 2 g (envi n) 4) Température de fonctionnement: -25 à 85 AC 5) Min. Ecrire pissé: 15
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Memory Stick
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Caractéristiques: 1) Interface: 10-pin serial bâton de mémoire d`interface et 4-b ches paral �les 2) Tension de fonctionnement: 2,7 - 3,6 V 3) Consommation électrique (en paral �le): 100mAh (ma
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Memory Stick
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Caractéristiques: 1) Capacité: 128M, 256M, 512M, 1GB et 2GB 2) Interface: 10-pin serial bâton de mémoire d`interface et 4-b ches paral �les 3) Tension de fonctionnement: 2.7V - 3.6V 4) Consomm
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Memory Stick-2G
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Caractéristiques: 1) Interface: 10-pin serial bâton de mémoire d`interface et 4-b ches paral �les 2) Tension de fonctionnement: 2,7 - 3,6 V 3) Consommation électrique (en paral �le): 100mAh (ma
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Memory Stick 4Go
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Spécifications: 1) de l`interface: série / paral �le 2) Dimensions (L x H x P): 31 x 20 x 1.6mm 3) Poids: 2g (app x.) 4) Température de fonctionnement: -25 ~ +85 C 5) vitesse d`écriture min
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Memory Stick 4Go
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Caractéristiques: 1) Zone d`utilisateur: env 3.66GB1 2) Interface mémoire bâton interface (série / paral �le) 3) Tension de fonctionnement: 2.7V-3.6V 4) Courant moyen de fonctionnement (transf
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Memory Stick 4Go
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Spécifications: 1) de l`interface: série / paral �le 2) Dimensions (L x H x P): 31 x 20 x 1.6mm 3) Poids: 2g (app x.) 4) Température de fonctionnement: -25 ~ +85 C 5) vitesse d`écriture min
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Memory Stick 4Go
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Caractéristiques: 1) �ger et portable 2) la technologie MagicGate de p tection de copyright à grande capacité 3) La lecture / vitesse d`écriture allant jusqu`à 80Mo / s 4) Disponible en 256M
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Memory Stick Sony
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Caractéristiques: 1) Interface: 10-pin serial bâton de mémoire d`interface et 4-b ches paral �les 2) Tension de fonctionnement: 2,7 - 3,6 V 3) Consommation électrique (en paral �le): 100mAh (ma
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