|
gestion de projet
|
|
@ B M × Þ z O { 1. M × P M × Þ z w q 2. M × Þ z ì H P è k 3. M × I R G`A Î Þ Zn G B M × W 1.
|
| |
QC
|
|
@ BQC Â k Ñ dae I è i k f o i k h k S en | ] i k ` G k Þ î Ï k i | U i î G B | U Â k B Î Ë ÷ PA
|
| |
QCC
|
|
] ^ QCC ò z À ] G ^ QCC B @ è k] T ^ QC ò Â k ] | ^ QC Story ( t t m) ] ^ ê Æ Ã z Î o í è k ( t o í)
|
|
|
QFD
|
|
(1) ~ è ÷ à i } À P i ) (C (2) ] w ø ~ è è k (3) B Î M ~ Þ N q | V ] p ~ è i) (4) s ó P u ( i) (5) U T
|
| |
QS-9000
|
|
1.QS-9000 ~ è t i-n D 2. QS-9000 A | æ y (3.QS-9000 å ó [c 4.QS -9000 Ð cn D Ï Î 5.QS ú -9000 Ð C ø å ú 6.A ß ( C Ñ ê
|
| |
La technologie RF
|
|
1.Int duction à mic -ondes et de la communication sans fi ,, Dispositifs 2.Mic wave: Bipolaire,, 3.Mic wave dispositif de modélisation,, 4.CMOS RF IC desi ,, 5.Mic wave essais
|
|
|
La technologie RF
|
|
1.Int duction à mic -ondes et de la communication sans fi ,, Dispositifs 2.Mic wave: Bipolaire,, 3.Mic wave dispositif de modélisation,, 4.CMOS RF IC desi ,, 5.Mic wave essais
|
| |
La technologie RF
|
|
1.Int duction à mic -ondes et de la communication sans fi ,, Dispositifs 2.Mic wave: Bipolaire,, 3.Mic wave dispositif de modélisation,, 4.CMOS RF IC desi ,, 5.Mic wave essais
|
| |
CPS
|
|
(1) é ISPC A (2) n R Î Þ Î ià s P PÅ (3) s ( à O À R (4) H Þ i i é ISPC @ k (5) s (ï @ k
|
|
|