P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1,500 V DC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir la résistance du circuit:> 100mΩ, 250V DC 5. Température de fonctionnement: -20 ~

P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1.500 VDC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir la résistance du circuit:> 100mΩ, 250Vdc 5. Température de fonctionnement: -20 ~ +

Nom du p duit: Membrane Switch Numé de modèle: MS42115-2 Lieu d`origine: Chine P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1.500 VDC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir

Nom du p duit: Membrane Switch Numé de modèle: MS42115-3 Lieu d`origine: Chine P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1,500 V DC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir

Nom du p duit: Membrane Switch Numé de modèle: MS42115-4 Lieu d`origine: Chine P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1,500 V DC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir

P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1,500 V DC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir la résistance du circuit:> 100mΩ, 250V DC 5. Température de fonctionnement: -20 ~

P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1,500 V DC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir la résistance du circuit:> 100mΩ, 250V DC 5. Température de fonctionnement: -20 ~

Nom du p duit: aviers à membrane Numé de modèle: MS42115-1 Lieu d`origine: Chine P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1,500 V DC 3. Résistance de contact: 4. Ou

Nom du p duit: Carte Mémoire Numé de modèle: une carte SD Lieu d`origine: Chine Type: Carte numérique Vitesse: lecture (max): 10 Mo / s; Reading (max): 3Mo/sec Voltage: 2.7V-3.6 V Poids: 2