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Silicon Single Crystal Wafers Polieren Durchmesser (mm) 30-40, 40-65, 65-80, 80-102 Dicke (≥? m) 300, 350, 400, 450 Dickentoleranz (?? m) 20 Bow (≤? m) 20, 25, 30, 40 Taper (≤? m) 8, 10, 15, 20 Ebenheit (? m) ≤ 6; ≤ 7; ≤ 8; ≤ 12 Thermal Oxid-Fehler (cm-2) ≤ 1000; ≤ 500 Paket Polieren von Silizium-Wafern in der Super-Zimmer-Reinigung durchgeführt. Die Wafer werden in den speziellen Kunststoff-Box, die wieder in den Karton Fall gebracht wird, gestellt.
Telluroxid 4N 99,99%, 5N 99,999% TeO2 Reinheit: 99,99% Cu / Fe / Al / As / Si / Mg 10ppm jeder, Pb / Se 20ppm jeder TeO2: Reinheit: 99,999% min Cu / Al / Pb / Fe 0,5 ppm max jeweils Cd 1.0ppm ma
Tellur Pulver 99,99% min, Mg / Pb / Ca / As / B / SB: 0,0005% je max Al / Cu / Co / Ni / Fe / Ga / Ti: 0,0001% max jeweils S : 0,0003% max, SE: 0,001% max
Hochreine Zinn / Tin Powder 5N-Sn 99,999%, Ag / Ca / Cu / Fe / Mg / Ni / Zn / Sb / Bi / Pb 0,5 je 0,3 Al, As 1,0, Au / Co 0,1 ach, Sn 0,2 6N-Sn 99,9999% min, Ag / Au / Co 0,01 je Al / Ca / Cu / Fe
Zn 99,9999% min 6N ICP-Massenspektrometrie Ergebnis-PPM Max) Pb / CD 0,25 je 0,10 Fe, Ni / Al / Mg / Sb / As 0,05 je 0,03 Cu, 0,01 Sn, Cr / Bi 0,02 In jeder Form von unregelmäßigen Barren. Ver
Antimon 99,99% min, 99,999% min, 99,9999% min, 99,99999% 4N, 5N, 6N, 7N Verunreinigung ppm max Sb-4N Mn / Ag / Au / Cu / Ni 1,0 je Si / Bi / Zn / Fe / CD / Mg 5,0 jeder; Pb 10, As 10, S 20 Sb-99
High Purity Cadmium 5N 6N 7N Cd-5N Zn / Pb 1.0ppm jeweils 0.10ppm Cu Ag / Ca / Al / Mg / Ni / Fe / Sn / Cr / Bi / Sb 0.5ppm jeder Cd - 6N Zn / Pb 0.10ppm jeweils 0.01ppm Cu, Ag / Al / Mg / Ni / Fe
Tellur 5n, 6n, 7n Verunreinigung (ppm max) Te 5n Ag / Cu / CD jeweils 0,2, AL / mg / Ni / Pb / Fe / sn 0.10each, SE 1.0, Te 6n Zn / ca/0.02each, Ag / Cu 0.002each, AL / Ni / Pb / Fe / CD 0.01each