Hynix DDR 400 MHz (Hynix DDR 400 MHZ)

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Computer, Software & Peripherie / Speichergeräte / Anderes Speichergerät /

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Informationen über den produzenten

Firma:
AGL Computer Parts Sales Department

Adresse:
4B083, Building 3, Huaqiang Electronic World, Futian, Shenzhen, Guangdong, China (Mainland)

Telefon:
+86-755-82869065/82869067

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Technische Daten: 1) DDR 400MHz Hynix 256MB (Spec: 32 * 8 / 16 * 16/16 * 8) Hynix 512MB (Spec: 64 * 8 / 32 * 8 / 32 * 16) 2) 184-Pin-Sockel Typ Dual In-line Memory Module (DIMM) 3) 2,6 V Netzteil 4) Datenrate: 400 MBit / s (max.) 5) 2,5 V (SSTL-2-kompatibel) I / O 6) Double Data Rate Architektur, zwei Datentransfers pro Takt 7) Bi-direktional, ist Data Strobe (DQS) gesendeten und empfangenen Daten mit, um bei der Erfassung von Daten beim Empfänger 8 verwendet) Daten-und Ausgänge sind mit dem DQS- 9 synchronisiert) DQS ist EDGE mit Daten für die Ausrichtung zu lesen, zentriert mit Daten schreiben 10) Differential Clock-Eingänge (CK und CK) 11) DLL richtet DQ und DQS Übergänge mit CK Übergänge 12) eingegebenen Befehle auf jeder positiven CK Rand verwiesen Daten sowohl Kanten der DQS 13) Auto Precharge-Option für jedes Burst-Zugang 14) Programmable Burst-Länge: 2, 4, 8 15) Programmierbare / CAS-Latenz (CL): 3 16) Programmierbare Ausgangs-Treiber Stärke: Normal / schwach 17) Refresh-Zyklen: (8192 erneuern cycles/64ms) 18) 7.8us maximale durchschnittliche periodische Refresh-Intervall 19) 2 Variationen erneuern 20) Auto erneuern 21) Self refresh

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