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Bezeichnung:   Hynix DDR 400 MHz »


Beschreibung :  Technische Daten:
1) DDR 400MHz
Hynix 256MB (Spec: 32 * 8 / 16 * 16/16 * 8)
Hynix 512MB (Spec: 64 * 8 / 32 * 8 / 32 * 16)
2) 184-Pin-Sockel Typ Dual In-line Memory Module (DIMM)
3) 2,6 V Netzteil
4) Datenrate: 400 MBit / s (max.)
5) 2,5 V (SSTL-2-kompatibel) I / O
6) Double Data Rate Architektur, zwei Datentransfers pro Takt
7) Bi-direktional, ist Data Strobe (DQS) gesendeten und empfangenen Daten mit, um
bei der Erfassung von Daten beim Empfänger
8 verwendet) Daten-und Ausgänge sind mit dem DQS-
9 synchronisiert) DQS ist EDGE mit Daten für die Ausrichtung zu lesen, zentriert mit Daten schreiben
10) Differential Clock-Eingänge (CK und CK)
11) DLL richtet DQ und DQS Übergänge mit CK Übergänge
12) eingegebenen Befehle auf jeder positiven CK Rand verwiesen Daten sowohl
Kanten der DQS
13) Auto Precharge-Option für jedes Burst-Zugang
14) Programmable Burst-Länge: 2, 4, 8
15) Programmierbare / CAS-Latenz (CL): 3
16) Programmierbare Ausgangs-Treiber Stärke: Normal / schwach
17) Refresh-Zyklen: (8192 erneuern cycles/64ms)
18) 7.8us maximale durchschnittliche periodische Refresh-Intervall
19) 2 Variationen erneuern
20) Auto erneuern
21) Self refresh

Warenanzahl:  

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