P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1,500 V DC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir la résistance du circuit:> 100mΩ, 250V DC 5. Température de fonctionnement: -20 ~ +80 C 6. Température de stockage: -40 ~ +90 C 7. Espérance de vie:> 1.000.000 cy es 8. Switch course: 0,1 à 1,0 mm 9. Rebondissement: 10. Actuation vigueur: 50 - 400g 11. Humidité de fonctionnement: jusqu`à 98% d`humidité relative 12. A olute Altitude: 0 - 4.500 m
P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1.500 VDC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir la résistance du circuit:> 100mΩ, 250Vdc 5. Température de fonctionnement: -20 ~ +
Nom du p duit: Membrane Switch Numé de modèle: MS42115-2 Lieu d`origine: Chine P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1.500 VDC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir
Nom du p duit: Membrane Switch Numé de modèle: MS42115-3 Lieu d`origine: Chine P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1,500 V DC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir
Nom du p duit: Membrane Switch Numé de modèle: MS42115-4 Lieu d`origine: Chine P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1,500 V DC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir
P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1,500 V DC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir la résistance du circuit:> 100mΩ, 250V DC 5. Température de fonctionnement: -20 ~
P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1,500 V DC 3. Résistance de contact: 4. Ouvrir la résistance du circuit:> 100mΩ, 250V DC 5. Température de fonctionnement: -20 ~
Nom du p duit: aviers à membrane Numé de modèle: MS42115-1 Lieu d`origine: Chine P priétés: 1. Evaluation Circuit: 2. Résister à la pression: 1,500 V DC 3. Résistance de contact: 4. Ou
Nom du p duit: Carte Mémoire Numé de modèle: une carte SD Lieu d`origine: Chine Type: Carte numérique Vitesse: lecture (max): 10 Mo / s; Reading (max): 3Mo/sec Voltage: 2.7V-3.6 V Poids: 2
Nom du p duit: MMC Card Numé de modèle: MMC Lieu d`origine: Chine Type: Carte numérique Vitesse: écrit (max.): 10 Mo / s; lecture (max.): 3Mo/sec Voltage: 2.7V -3.6V Poids: 2g Emballage:
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