Adresse : 6G, Yongfu Tower, Guoqi Building, South Shangbu Road, Futian, Shenzhen, Guangdong, China (Mainland)
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Mémoire DDR512 banque Caractéristiques: 184 b ches double li e dans le module de mémoire (DIMM) Rayes transfert rapide des données: PC 3200 Cas Latency 3 Utilise 400 MT / S Composan de DDR SDRAM 512 Mo (64 meg x 64) Vdd = VDDQ = 2,6 V Vddspd = +2,3 V à +3,6 2.6vi / o (SSTL_2 compatible) entrée des commandes sur chaque arête ck positifs bord DQS-ali ées avec les données pour les lectures; Central-lighed avec les données de l`écrit intérieur, en pipeline double débit de données (DDR) architecture; deux accès de données par cy e d`horloge données bidirectionnel st boscopique (DSQ), la transmission / réce ion de données - IE-Source de données synch ne cature entrées d`horloge différentielle ck ad # CK Quatre banques dispositif intervalle de fonctionnement en paral le longueurs d`é atement p grammables: 2,4 ou 8 Auto otion précharge ra aîchissement automatique et les modes de ra aîchissement auto 7.815us intervalle d`une période maximale de ra aîchissement moyen de détecter la présence de série (SPD) avec EEPROM P grammable Read latence CAS bord doré contac
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